Главная
 
Разделы
 
 
Красников Геннадий Яковлевич
 

Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
Автор: Жанр: Разное Издательство: Техносфера Год: 2011 Страниц: 800 Дата загрузки: 16 марта 2014
   В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит — на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
 

 

 

 

2011–2024

Рейтинг@Mail.ru