Электронные свойства дислокаций в полупроводниках
|
Автор: Осипьян Ю.А.
Жанр: Научная, учебная литература для специалистов
Издательство: Эдиториал УРСС
Год: 2000 Количество страниц: 320
Формат:
PDF (16.00 МБ)
Дата загрузки: 17 августа 20092002-05-06
|
Аннотация
Данную книгу можно считать первым в мировой практике изданием, в котором на современном уровне представлены электронные свойства дислокаций в полупроводниках Ge и Si и в полупроводниковых соединениях A2B6. Книга выполнена в виде нескольких обзорных статей, написанных академиком Ю.А.Осипьяном совместно с его учениками, являющимися ведущими специалистами в области физики дислокаций в полупроводниках. В книге проведено систематическое изложение современных данных по влиянию дислокаций на электронный энергетический спектр, электрические и оптические характеристики полупроводников. Подробно рассмотрено взаимодействие дислокаций с другими дефектами и примесями. Книга предназначена для научных сотрудников и инженеров, специализирующихся в области физики твердого тела, а также для преподавателей, аспирантов и студентов соответствующих специальностей.
Скачать с нашего сайта
|
Комментарии
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикаци.
|
|